等离子化学气相沉积-PECVD，为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法。它是由500W射频电源、1200℃单温区管式炉、三通道质量流量混气系统和真空系统组成。此款设备用于生长纳米线、石墨烯或SIC薄膜等

等离子化学气相沉积-PECVD

等离子化学气相沉积-PECVD，为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法。它是由500W射频电源、1200℃单温区管式炉、三通道质量流量混气系统和真空系统组成。此款设备用于生长纳米线、石墨烯或SIC薄膜等

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法。它是由500W射频电源、1200℃单温区管式炉、三通道质量流量混气系统和真空系统组成。此款 设备系统用于生长纳米线、石墨烯或SIC薄膜等

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法。它是由500W射频电源、1200℃单温区管式炉、三通道质量流量混气系统和真空系统组成。此款设备用于生长纳米线、石墨烯或SIC薄膜等

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